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044 上上强度(4K)

作品:重塑千禧年代作者:渔雪
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冰芯内部的庆功宴并不正式,或者,与其说是庆功宴,不如说是弥合内部技术争端的一个仪式。

很显然,当梁孟淞抛出他在大量工作基础上的技术直觉之后,这个仪式很圆满。

后闸极无可置疑的成为冰芯在28nm制程节点的技术方案,而同样耗费了研发精力的前闸极将可能作为冰芯下一个制程的方案。

只要没有太过浪费,只要没有太过做无用功,那就是好的,更何况,现在比想象中还更有用一些,不少人的情绪得到很大的缓解。

等到方卓陪着胡正明教授在科大校园里漫步,谈到这件事,他不由得笑道:“谁说梁博士性子直,他这次就特别好。”

“人都是会变的,他在台记那边坐冷板凳,来到这边有你的鼎力支持,有技术上的逐渐追进,他是愿意也有能力处理好这些事情的。”胡正明微微一笑。

他继续说道:“况且,他这次用事实再次有力证明了他在技术领域的实力,以一种真理掌握在少数人手里的姿态推出后闸极方案,这对接下来的工作也很重要。”

方卓默默点头,走了一段路又笑道:“我不会是最后一个知道的吧?”

“那也不是。”胡正明指的正是冰芯下一步制程的超车发展,“这个事需要慎重,需要研发的结果支持,即便这样也还是没有把握,梁孟淞现在和你说,也有拉着你一起赌一把的意思。”

“那我应该支持吗?”方卓想聆听更多的意见。

“你知道为什么会有这样选择的可能吗?”胡正明反问。

“因为FinFET技术。”方卓回答。

“一个重要原因是这,FinFET把逻辑单元结构从平面2D转为立体3D,这和之前的技术就有了很大的差异性,而不是顺理成章的推进。”胡正明缓缓说道,“晶体管不能无限制的缩小,当它缩小到20nm左右就会遇到量子物理中的问题。”

他继续说道:“当年我就是为了解决里面的漏电现象而进行了改善,引入FinFET既能减少因物理现象所导致的漏电,也能增加接触面积,对继续缩小尺寸有帮助。”

胡正明见方总极其认真的听讲,笑道:“问题就在于这个20nm临界点,这个制程节点既可以延续原来的技术架构,也可以导入FinFET。”

方卓点头道:“英特尔选择在这个节点附近导入FinFET,台记选择不导入,三星大概也是不导入。”

这是来自厂商公布的技术路线

…。。
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